Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT15M321» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
GT15M321
Описание
Toshiba Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)