GT50J322 (Toshiba)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT50J322» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | GT50J322 |
| Описание | N Channel Mos Type (the 4th Ceneration Current Resonace Inverter Swithcing Applications) |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | Toshiba Semiconductor |  |
| Сайт | www.semicon.toshiba.co.jp |
| | | Размер | Страниц: 5, 256.64Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
|
|
|