Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT50J325» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
GT50J325
Описание
Toshiba Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)