GT5J311SM (Toshiba)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT5J311SM» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | GT5J311SM |
| Описание | Vces (V) = 600 ; Ic (A) = 5 ; Vce (sat) (V) = 2.7 ; PC (W) = 45 ; TRR Max (ns) = 200 ; Package = TO-220SM ; Main Application = Inverter/ups ; Feature = Power SMD |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | Toshiba Semiconductor |  |
| Сайт | www.semicon.toshiba.co.jp |
| | | Размер | Страниц: 7, 462.09Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
|
|
|