Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT5J331SM» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
GT5J331SM
Описание
N-channel IGBT (High Power Switching, Motor Control Applications)
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)