Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT60M303» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
GT60M303
Описание
N Channel Mos Type (high Power Switching Applications)
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)