Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT8G131» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
Маркировка
GT8G131
Описание
N Channel Mos Type (strobe Flash Applications)
Функционал
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)