GT8J102 (Toshiba)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «GT8J102» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства Toshiba. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | GT8J102 |
| Описание | Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 8 ; Vce (sat) Max = 4 ; Ton (usec) = 0.8 ; Toff (usec) = 1 ; Additional Information = More Info |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | Toshiba Semiconductor |  |
| Сайт | www.semicon.toshiba.co.jp |
| | | Размер | Страниц: 3, 204.24Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
|
|
|