BFG325W/XR (Philips)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «BFG325W/XR» (Транзисторы), производства Philips. Выберите наиболее удобный формат.
![Datasheet BFG325W/XR производства Philips](/image/philips/bfg325wxr.gif) |
Маркировка | BFG325W/XR |
Описание | NPN 14 GHz wideband transistor NPN silicon planar epitaxial transistor inA 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package. FeaturesHigh power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability ApplicationsIntended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as: analog and digital cellular telephones cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), et |
Функционал | Транзисторы | Производитель | Philips Semiconductors | ![Philips](/logo/philips.gif) |
Сайт | www.semiconductors.philips.com |
| Размер | Страниц: 12, 86.71Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
|
|
|