K4E160812D-B (Samsung) - K4E160812D 2M X 8Bit CMOS Dynamic RAM With Extended Data Out ; Organization = 2Mx8 ; Mode = Edo ; Voltage(V) = 3.3 ; Refresh = 2K/32ms ; Speed(ns) = 50,60 ; Package = 28SOJ,28TSOP2 ; Power = Normal,low ; Production Status = Eol(ltb Order:Aug.\'03) ; Comments = LVTTL, Асинхронная DRAM (16 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4E160812D-B (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4E160812D-B» (Асинхронная DRAM (16 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4E160812D-B производства Samsung

Маркировка	K4E160812D-B
Описание	K4E160812D 2M X 8Bit CMOS Dynamic RAM With Extended Data Out ; Organization = 2Mx8 ; Mode = Edo ; Voltage(V) = 3.3 ; Refresh = 2K/32ms ; Speed(ns) = 50,60 ; Package = 28SOJ,28TSOP2 ; Power = Normal,low ; Production Status = Eol(ltb Order:Aug.\'03) ; Comments = LVTTL
Функционал	Асинхронная DRAM (16 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 257.05Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4E160811D-B, K4E160811D-F, K4E160812D-B, K4E160812D-F, K4E170811D-B, K4E170811D-F, K4E170812D-B, K4E170812D-F

ChipFind: наличие «K4E160812D-B» на онлайн-складах поставщиков