ChipFind.ru | Документация | DataSheet | Аналоги
База по 1.687.043 компонентам

  English language
Документация     Аналоги     Поиск по складамChipFind
Поле для поискаСтрока для поискаПроизводитель

K4E6601611B (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4E6601611B» (Асинхронная DRAM (Модули)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.



Datasheet K4E6601611B производства Samsung
МаркировкаK4E6601611B
ОписаниеM364E0884BT0 Edo Mode:4Mx64 DRAM Dimm Using 4Mx16,4K&8K Refresh,5V ; Density(MB) = 64 ; Organization = 8Mx64 ; Mode = Edo ; Refresh = 8K/64ms ; Speed(ns) = 50,60 ; #of Pin = 168 ; Component Composition = (4Mx16)x8+Drive ICx2 ; Production Status = Eol ; Comments = Buffered
ФункционалАсинхронная DRAM (Модули)
ПроизводительSamsung semiconductorSamsung
Сайтwww.samsung.com
РазмерСтраниц: 0, 476.81Кб
Скачать файл Оригинальный PDF
Архив WinZIP
Предпросмотр HTML страница
В этом файле
K4E6601611B, M364E0804BT0, M364E0804BT0-C, M364E0884BT0, M364E0884BT0-C