K4E660412D-T (Samsung) - M372F3280DT1 32Mx72 DRAM Dimm With Ecc Using 16Mx4,4K&8KRefresh,3.3V ; Density(MB) = 256 ; Organization = 32Mx72 ; Mode = Edo ; Refresh = 8K/64ms ; Speed(ns) = 50,60 ; #of Pin = 168 ; Component Composition = (16Mx4)x36+Drive ICx2 ; Production Status = Eol ; Comments = Buffered, Асинхронная DRAM (Модули)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4E660412D-T (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4E660412D-T» (Асинхронная DRAM (Модули)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4E660412D-T производства Samsung

Маркировка	K4E660412D-T
Описание	M372F3280DT1 32Mx72 DRAM Dimm With Ecc Using 16Mx4,4K&8KRefresh,3.3V ; Density(MB) = 256 ; Organization = 32Mx72 ; Mode = Edo ; Refresh = 8K/64ms ; Speed(ns) = 50,60 ; #of Pin = 168 ; Component Composition = (16Mx4)x36+Drive ICx2 ; Production Status = Eol ; Comments = Buffered
Функционал	Асинхронная DRAM (Модули)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 489.23Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4E660412D-T, K4E660412D-TC/L, M372F3200DT1, M372F3200DT1-C, M372F3280DT1, M372F3280DT1-C

ChipFind: наличие «K4E660412D-T» на онлайн-складах поставщиков