K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L (Samsung) - 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGAThe K4S641633H is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology., SDR SDRAM (64 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L» (SDR SDRAM (64 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L производства Samsung

Маркировка	K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L
Описание	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGAThe K4S641633H is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology.
Функционал	SDR SDRAM (64 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 12, 114.8Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4S641633H, K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1H, K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L, K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F75

ChipFind: наличие «K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F1L» на онлайн-складах поставщиков