K7R160884B (Samsung) - K7R160884B 512K X 36-bit,1M X 18-bit, 2M X 8-bit QDR™ Ii b4 SRAM ; Organization = 2Mx8 ; VDD(V) = 1.8 ; Access Time-tCD(ns) = 0.45,0.45,0.45,0.50 ; Cycle Time(MHz) = 300,250,200,167 ; I/o Voltage(V) = 1.5,1.8 ; Package = 165FBGA ; Production Status = Engineering Sample(Q3,\'03) ; Comments = QDR ii, Синхронная SRAM (18 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K7R160884B (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K7R160884B» (Синхронная SRAM (18 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K7R160884B производства Samsung

Маркировка	K7R160884B
Описание	K7R160884B 512K X 36-bit,1M X 18-bit, 2M X 8-bit QDR™ Ii b4 SRAM ; Organization = 2Mx8 ; VDD(V) = 1.8 ; Access Time-tCD(ns) = 0.45,0.45,0.45,0.50 ; Cycle Time(MHz) = 300,250,200,167 ; I/o Voltage(V) = 1.5,1.8 ; Package = 165FBGA ; Production Status = Engineering Sample(Q3,\'03) ; Comments = QDR ii
Функционал	Синхронная SRAM (18 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 204.46Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K7R160884B, K7R160884B-FC16, K7R160884B-FC20, K7R160884B-FC25, K7R160884B-FC30

ChipFind: наличие «K7R160884B» на онлайн-складах поставщиков