KM736V887H (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «KM736V887H» (Синхронная SRAM (8 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
Маркировка | KM736V887H |
Описание | KM736V887H 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM ; Organization = 256Kx36 ; Operating Mode = SB ; VDD(V) = 3.3 ; Access Time-tCD(ns) = 7.5 8.5,9.0,10.0 ; Speed-tcyc (MHz) = 117,100,100,83 ; I/o Voltage(V) = 2.5,3.3 ; Package = 100TQFP,11BGA ; Production Status = Eol ; Comments = - |
Функционал | Синхронная SRAM (8 Мб) | Производитель | Samsung semiconductor |  |
Сайт | www.samsung.com |
| Размер | Страниц: 0, 575.42Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|