M312L3223EG0-A2 (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «M312L3223EG0-A2» (Registered DIMM), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | M312L3223EG0-A2 |
| Описание | M312L3223EG0 184pin Registered Module Based on 256Mb E-die (x4, X8) ; Density(MB) = 256 ; Organization = 32Mx72 ; Bank/ Interface = 4B/SSTL2 ; Refresh = 8K/64ms ; Speed = B3,A2,B0,CC ; Power = C ; #of Pin = 184 ; Component Composition = (32Mx8)x9 ; Production Status = Customer Sample ; Comments = DDR266/333,DDR400 |
| Функционал | Registered DIMM | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 20, 329.42Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле M312L2820EG0, M312L2820EG0-CA2, M312L2820EG0-CB0, M312L2820EG0-CB3, M312L3223EG0, M312L3223EG0-A2, M312L3223EG0-B0, M312L3223EG0-CB3, M312L6420EG0, M312L6420EG0-CA2, M312L6420EG0-CB0, M312L6420EG0-CB3, M312L6423EG0, M312L6423EG0-CA2, M312L6423EG0-CB0, M312L6423EG0-CB3
|
|
|