K4H280838F-UC/LA2 (Samsung) - 4M x 8Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAMThe K4H280838F is 134,217,728 bits of double data rate synchronous DRAM organized as 4x 8,388,608 / 4x 4,194,304 words by 4/ 8bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe allow extremely high performance up to 333Mb/s per pin. I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the device to be useful forA variety of, DDR SDRAM (128 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4H280838F-UC/LA2 (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4H280838F-UC/LA2» (DDR SDRAM (128 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4H280838F-UC/LA2 производства Samsung

Маркировка	K4H280838F-UC/LA2
Описание	4M x 8Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAMThe K4H280838F is 134,217,728 bits of double data rate synchronous DRAM organized as 4x 8,388,608 / 4x 4,194,304 words by 4/ 8bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe allow extremely high performance up to 333Mb/s per pin. I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the device to be useful forA variety of
Функционал	DDR SDRAM (128 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 23, 298.45Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4H280838F, K4H280838F-TC/LB3, K4H280838F-UC/LA2, K4H280838F-UC/LB0

ChipFind: наличие «K4H280838F-UC/LA2» на онлайн-складах поставщиков