K9NBG08U5M-P (Samsung) - 4G x 8 Bit NAND Flash MemoryOffered in 1G x 8bit, the K9K8G08U0M isA 8G-bit NAND Flash Memory with spare 256M-bit. Its NAND cell provides the most costeffective solution for the solid state application market.A program operation can be performed in typical 200µs on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 1.5ms onA (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns(K9NBG08U5M:50ns) cycle time per Byte., NAND Flash

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K9NBG08U5M-P (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K9NBG08U5M-P» (NAND Flash), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K9NBG08U5M-P производства Samsung

Маркировка	K9NBG08U5M-P
Описание	4G x 8 Bit NAND Flash MemoryOffered in 1G x 8bit, the K9K8G08U0M isA 8G-bit NAND Flash Memory with spare 256M-bit. Its NAND cell provides the most costeffective solution for the solid state application market.A program operation can be performed in typical 200µs on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 1.5ms onA (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns(K9NBG08U5M:50ns) cycle time per Byte.
Функционал	NAND Flash
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 50, 1.22Мб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K9K8G08U0M-Y,P, K9NBG08U5M, K9NBG08U5M-P, K9WAG08U1M-I

ChipFind: наличие «K9NBG08U5M-P» на онлайн-складах поставщиков